جفت شدگی قوی و بلندبرد دینامیک مغناطش دو لایۀ آنتی فرومغناطیس به واسطۀ فونون های منتقل شده توسط یک عایق غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. دینامیک مغناطش در یکی از لایه های آنتی فرومغناطیس از طریق برهمکنش مغناطوکشسانی منجر به برانگیختگی فونون ها و پمپاژ آنها به لایۀ غیرمغناطیسی می شود. انتقال فونون ها، که با خود تکانۀ زاویه ای حمل می کنند، از طریق عایق غیرمغناطیسی از یک لایۀ آنتی فرومغناطیس به لایۀ دیگر، منجر به ایجاد به یک طرح تداخلی در طیف جذب می شود که بیانگر جفت شدگی دینامیک مغناطش دو لایه است.